3石プリメインアンプの基板実装

色々と考えた挙げ句、最終的に図のような実装となりました。電源ターミナルからプリ・アンプへの＋35Vは1.2kΩ/2Wの抵抗で電圧を少し下げる。実際に何ボルトになるかは作ってみないと　(_ _;)



メインアンプのバイアスは、プラスマイナス電源から7.5kΩ＋可変抵抗で、パワーMOSのゲート電圧が0.8V～1Vになるように調整します。取り付け時のトリマー（可変抵抗）は1kΩにしてありますが、これも中出力MOSに流す電流次第で変化します。中出力MOSは20mAも流せば十分ではないかと。出力のゼロボルトもトリマーで追い込みます　(^_^;)

ここからは基板のパーツ実装。ヒートシンクに中出力MOSを取り付ける際、ブッシュを嵌めると剥き出しの金属部分（ドレインと同じ）と取り付けネジが接触しません。ヒートシンクにはタップが切ってあるので、3mmφのボルトだけで締まります。ナットを使わなくて良いから楽　(^^ゞ


取り付けネジはONKYOのパワートランジスタに使われていたもの

ヒートシンクに中出力MOSを取り付けて気がついたのですが、このヒートシンクはネジ穴の位置が悪く、スペーサーで持ち上げないと使えません。


真鍮の六角スペーサー（オス・メス）5mmを使った
結構硬いからレンチで締めた






裏側はプラネジのスペーサー二枚重ねでネジが締まった

基板裏を見ればわかりますが、ヒートシンク固定のネジが1本だけ違います。これはオス・メスの5mmが3個しかなく、仕方なくメス・メス、要するに貫通しているスペーサーを長いボルトに通して代用した結果です。姦通ではありませんぞ　(^m^;)




手前の紫がかった青い大きな抵抗が1.2kΩ/2w

今回のアンプはパーツが少ないですが、初段のドレイン同士を繋ぐジャンパー線も基本的に必要ありません。ピンアサインの違う石を使うときだけ必要になります。シンプルで作りやすいので、早く組み立てたいところ。なお、この基板のままで中出力MOSの代わりに大出力のパワーMOSも使えます。ヒートシンクは大きくなりますが　（；＾ω＾）